MOS管怎么測(cè)量好壞視頻-如何測(cè)量MOS管好壞的詳解大全-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2018-06-26
mos管是金屬—氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后,在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比(beta)。另一種晶體管,叫做場(chǎng)效應(yīng)管(FET),把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance,定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,以下為N溝道和P溝道符號(hào)。
1)用10K檔,內(nèi)有15伏電池。可提供導(dǎo)通電壓。
2)因?yàn)闁艠O等效于電容,與任何腳不通,不論N管或P管都很容易找出柵極來(lái),否則是壞管。
3)利用表筆對(duì)柵源間正向或反向充電,可使漏源通或斷,且由于柵極上電荷能保持,上述兩步可分先后,不必同步,方便。但要放電時(shí)需短路管腳或反充。
4)大都源漏間有反并二極管,應(yīng)注意,及幫助判斷。
5)大都封莊為字面對(duì)自已時(shí),左柵中漏右源。
以上前三點(diǎn)必需掌握,后兩點(diǎn)靈活運(yùn)用,很快就能判管腳,分好壞。
如果對(duì)新拿到的不明MOS管,可以通過測(cè)定來(lái)判斷腳極,只有準(zhǔn)確判定腳的排列,才能正確使用。
①柵極G的測(cè)定:用萬(wàn)用表R&TImes;100檔,測(cè)任意兩腳之間正反向電阻,若其中某次測(cè)得電阻為數(shù)百Ω),該兩腳是D、S,第三腳為G。
②漏極D、源極S及類型判定:用萬(wàn)用表R&TImes;10kΩ檔測(cè)D、S問正反向電阻,正向電阻約為0.2&TImes;10kΩ,反向電阻(5一∞)X100kΩ。在測(cè)反向電阻時(shí),紅表筆不動(dòng),黑表筆脫離引腳后,與G碰一下,然后回去再接原引腳,出現(xiàn)兩種情況:
a.若讀數(shù)由原來(lái)較大值變?yōu)?(0&TImes;10kΩ),則紅表筆所接為S,黑表筆為D。用黑表筆接觸G有效,使MOS管D、S間正反向電阻值均為0Ω,還可證明該管為N溝道。
b.若讀數(shù)仍為較大值,黑表筆不動(dòng),改用紅表筆接觸G,碰一下之后立即回到原腳,此時(shí)若讀數(shù)為0Ω,則黑表筆接的是S極、紅表筆為D極,用紅表筆接觸G極有效,該MOS管為P溝道。
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