MOS管工作原理視頻

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，有增強(qiáng)型跟耗盡型的區(qū)分，但是由于本人沒見過耗盡型的mos管，所以直接忽略，需要可自行查閱這兩者的區(qū)分。

MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。

MOS管工作原理視頻參數(shù)

1.開啟電壓VT

開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；

備注：這是設(shè)計(jì)時(shí)候比較重要的值，一般開啟電壓是個(gè)范圍，我們要盡量保證電壓大于這個(gè)范圍。（后續(xù)會(huì)推出一個(gè)實(shí)例）

2. 漏源擊穿電壓BVDS

在VGS=0（增強(qiáng)型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS

ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面：

（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿

（2）漏源極間的穿通擊穿

有些MOS管中，其溝道長(zhǎng)度較短，不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū)，使溝道長(zhǎng)度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場(chǎng)的吸引，到達(dá)漏區(qū)，產(chǎn)生大的ID

3. 柵源擊穿電壓BVGS

在增加?xùn)旁措妷哼^程中，使柵極電流IG由零開始劇增時(shí)的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。

備注：我們所加的Vgs不能大于 BVGS

4. 低頻跨導(dǎo)gm

在VDS為某一固定數(shù)值的條件下 ，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)

gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力

5. 導(dǎo)通電阻RON

導(dǎo)通電阻RON說(shuō)明了VDS對(duì)ID的影響 ，是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)

在飽和區(qū)，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數(shù)值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間

由于在數(shù)字電路中 ，MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來(lái)近似

對(duì)一般的MOS管而言，RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)

備注：此值在PWM開關(guān)管中尤為重要，會(huì)影響較多參數(shù)，一般mos管的發(fā)熱也跟該參數(shù)有較大關(guān)系。

6. 極間電容

三個(gè)電極之間都存在著極間電容：柵源電容Cgs 、柵漏電容Cgd和漏源電容Cds

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