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12N60場效應(yīng)管參數(shù)-12N60C引腳圖 12A 600V PDF文件-KIA MOS管

信息來源：本站　日期：2018-06-07　

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一、12N60H產(chǎn)品描述

N溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計的，如高效率開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正、基于半橋拓撲的電子燈鎮(zhèn)流器等

12N60場效應(yīng)管參數(shù)

12N60H PEF文件下載

二、12N60H產(chǎn)品特征

RDS（on）=0.53@VGS=10V

低柵電荷（典型的52nC）

快速交換能力

雪崩能量指定值

改進的dv/dt能力


三、12N60H引腳圖

12N60場效應(yīng)管參數(shù)


G：gate 柵極S：source 源極D：drain 漏極

MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxid)—半導(dǎo)體(Semiconductor)場效應(yīng)晶體管。市面上常有的一般為N溝道和P溝道。N溝道的電源一般接在D，輸出S，P溝道的電源一般接在S，輸出D。



四、12N60H參數(shù)范圍

產(chǎn)品型號：KIA12N60H

工作方式：12A/600V

漏源電壓：600V

柵源電壓：±30A

漏電流連續(xù)：12A

脈沖漏極電流：48A

雪崩能量：865mJ

耗散功率：231W

熱電阻：62.5℃/V

漏源擊穿電壓：600V

溫度系數(shù)：0.7V/℃

柵極閾值電壓：2.0V

輸入電容：1850PF

輸出電容：180PF

上升時間：90ns

封裝形式：TO-220、220F


五、12N60H電路圖和波形

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