6n70場效應管參數(shù),KIA6N70H大功率開關mos管-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-04-08
KIA6N70H功率MOSFET采用KIA先進的平面條紋DMOS技術生產(chǎn)，經(jīng)過特殊定制，最大限度地減少導通電阻，提供卓越的開關性能，能夠承受高能脈沖的雪崩和換向模式。特別適用于高效開關模式電源以及基于半橋拓撲的有源功率因數(shù)校正。
KIA6N70H場效應管漏源擊穿電壓700V、漏極電流5.8A，RDS(on)typ為1.8Ω@VGS=10V，具有低柵電荷（典型16NC）、高耐用性、快速切換和雪崩測試100%、具備提高dv/dt能力的特點，多種封裝形式：TO-251、TO-252、TO-220F，方便應用。這些優(yōu)秀的特性使得KIA6N70H成為一款高性能的器件，能夠在各種應用場景中發(fā)揮重要作用，為電力系統(tǒng)的可靠性和效率提供有力的支持。
漏源電壓：700V
漏極電流：5.8A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：1.8Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：20A
雪崩能量單脈沖：150MJ
最大功耗：95/48W
輸入電容：650PF
輸出電容：95PF
總柵極電荷：16nC
開通延遲時間：30nS
關斷延遲時間：80nS
上升時間：40ns
下降時間：40ns
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯(lián)系刪除。
