如何正確理解mos管襯底偏置效應(yīng)
信息來源：本站 日期：2017-08-16
圖1. 33所示電路為例，剖析襯底偏置效應(yīng)的產(chǎn)生。
由于MOS晶體管M1的源極與基底都接地，所以不發(fā)作襯底偏置效應(yīng)。而M2源極的電位VS比接地的基底的電位VB=0要高，這就意味著VSB>0。其結(jié)果，M2發(fā)作基底偏置效應(yīng)，使M2的閾值電壓比M1高。
NMOS晶體管的閾值電壓VTN、PMOS晶體管的閾值電壓VTP分別由下式給出：
式中，VTO是VSB=0時(shí)（即不發(fā)牛襯底偏置效應(yīng)時(shí)）的閾值電壓。它的極性在NMOS中是VTO>0，關(guān)于PMOS是VTO
式中，q是電子電荷，1.6X 10-19［C］；εsi是硅的相對介電常數(shù)，εsi= 11.7；Nsub是襯底（阱）的雜質(zhì)濃度。γ越大，表示襯底偏置效應(yīng)越強(qiáng)。關(guān)于NMOS和PMOS來說，與閾值電壓有關(guān)的參數(shù)的極性是不同的，表1.1列出這些參數(shù)及其極性。
上面引出了多個(gè)物理參數(shù)。不過重要的是：當(dāng)源極—基底間的pn結(jié)加反向電壓時(shí)，MOS晶體管的閾值電壓會(huì)上升。
