場效應(yīng)管主要參數(shù)是什么？電子元器件主要參數(shù)是什么？
信息來源：本站 日期：2017-07-21
通常將剛剛形成導(dǎo)電溝道、出現(xiàn)漏極電流ID時對應(yīng)的柵一源電壓稱為開啟電壓，用UGS(th)或UT表示。
開啟電壓UT是MOS增強型管的參數(shù)。當(dāng)柵一源電壓UGS小于開啟電壓的絕對值時，場效應(yīng)管不能導(dǎo)通。
當(dāng)UDS為某一固定值(如10V)，使ID等于某一微小電流(如50mA)時，柵一源極間加的電壓即為夾斷電壓。當(dāng)UGS＝UP時，漏極電流為零。
飽和漏極電流IDSS是在UGS =0的條件下，場效應(yīng)管發(fā)生預(yù)夾斷時的漏極電流。IDSS型場效應(yīng)管所能輸出的最大電流。
直流輸入電阻RGS是漏一源短路，柵一源加電壓時柵一源極 之間的直流電阻。
結(jié)型場效應(yīng)管：RGS》107ΩMOS管：RGS>109～1015Ω。
漏極電流的微變量與柵一源電壓微變量之比，即gm＝△ID/△UGS。它是衡量場效應(yīng)管柵一源電壓對漏極電流控制能力的一個參數(shù)。gm相當(dāng)于三極管的hFE。
最大漏極功耗PD＝UDSID，相當(dāng)于三極管的PCM。
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