結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管-結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)和符號(hào)、特性曲線(xiàn)-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2017-07-17
1.構(gòu)造與符號(hào)
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的構(gòu)造表示圖及其表示符號(hào)如圖2-31所示。
在圖2-31(a)中，s表示Source，源極；D表示Drain，漏極；G表示Gate，柵極。在漏極和源極之間加上一個(gè)正向電壓后，N型嗲電子半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子（電子）便能夠?qū)щ娏?。這種導(dǎo)電溝道是N型的場(chǎng)效應(yīng)管，稱(chēng)為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。
圖2-31 (b)中的場(chǎng)效應(yīng)管在P型硅棒的兩側(cè)制成了高摻雜的N型區(qū)(N+)，其導(dǎo)電溝道為P型，多數(shù)載流子為空穴。
1)轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)
轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)表達(dá)當(dāng)UDS一定時(shí)，柵源電壓Ucs對(duì)漏極電流iD的控制造用，即
理論剖析和實(shí)測(cè)結(jié)果標(biāo)明，iD與ucs契合平方律關(guān)系，即
式中，IDSS為飽和電流，表示UGS=o時(shí)的iD值；UP為夾斷電壓，表示UGS=Up時(shí)iD為零。
由此可見(jiàn)，結(jié)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)是用來(lái)闡明在一定的漏源電壓u陌時(shí)，柵源電壓UGS和漏極電流iD之間變化關(guān)系的曲線(xiàn)。JFET的轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)如圖2-32所示。
為了使輸入阻抗大（不允許呈現(xiàn)柵流ic），也為了使柵源電壓對(duì)溝道寬度及漏極電流有效地停止控制，PN結(jié)一定要反偏，因而在N溝道JFET中，uGS必需為負(fù)值。
2、輸出特性曲線(xiàn)
輸出特性曲線(xiàn)表達(dá)當(dāng)柵源電壓UGS，不變時(shí)，漏極電流iD與漏源電壓UDS的關(guān)系，即
由此可見(jiàn)，輸出特性曲線(xiàn)表示的足以Ucs為參變量時(shí)iD與UDS的關(guān)系。JFET的輸出特性曲線(xiàn)如圖2-33所示，依據(jù)特性曲線(xiàn)的各局部特征，能夠?qū)⑵浞譃樗膫€(gè)區(qū)域，如圖中所示。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話(huà)：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車(chē)公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
關(guān)注KIA半導(dǎo)體工程專(zhuān)輯請(qǐng)搜微信號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或點(diǎn)擊本文下方圖片掃一掃進(jìn)入官方微信“關(guān)注”
長(zhǎng)按二維碼識(shí)別關(guān)注
