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MOS FET繼電器的構(gòu)成和動作原理及幾大優(yōu)勢詳解-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2020-03-04 

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MOS FET繼電器的構(gòu)成和動作原理及幾大優(yōu)勢詳解

MOS FET繼電器的構(gòu)成和動作原理

MOS FET繼電器是在輸出元件中使用功率MOS FET的SSR。為使功率MOS FET動作, 光電二極管陣列作為受光元件使用。輸入端子中有電流流過時(shí), LED會發(fā)光。這個(gè)光使光電二極管陣列中發(fā)生光電流, 這使柵極電壓使功率MOS FET置于ON。用源共通連接2個(gè)功率MOS FET, 可控制AC負(fù)載。DC專用的類型中有帶1個(gè)電源 MOS FET的類型。


MOS FET,繼電器原理


信號用MOS FET繼電器G3VM不含變阻器。


MOS FET繼電器的名稱

該商品為新型商品, 在各個(gè)公司有各種名稱、商標(biāo)。下表表示信號用(相當(dāng)于G3VM) 的示例。


MOS FET,繼電器原理


MOS FET繼電器的幾大優(yōu)勢

1、 超小型、輕量


2、 低驅(qū)動電流

在推薦運(yùn)行條件(標(biāo)準(zhǔn))下的驅(qū)動電流為2-15mA。還有最小可用0.2mA驅(qū)動的產(chǎn)品,為整體設(shè)備的節(jié)能化作出貢獻(xiàn)。


3、 壽命長

采用光信號傳輸方式,實(shí)現(xiàn)無接點(diǎn)構(gòu)造。不會因接點(diǎn)磨損而造成壽命縮短,實(shí)現(xiàn)了長使用壽命。


4、 漏電流微小

能夠耐受外來浪涌,也不帶緩沖電路,正常情況下,典型漏電流最大僅為1nA。


5、 耐沖擊性優(yōu)勢

由于內(nèi)部零件完全為鑄模,也沒有活動零件等機(jī)械零件,因此耐沖擊性、耐振動性優(yōu)異。


6、 高絕緣性

將電壓轉(zhuǎn)換成光、并作為信號傳送,因此可對輸入輸出間進(jìn)行電路隔離。標(biāo)準(zhǔn)型號可確保輸入輸出間耐電壓AC2500V。也可以提供高達(dá)AC5000的產(chǎn)品。另外,SOP封裝系列產(chǎn)品新增AC3750V產(chǎn)品。


7、 靜音

由于不會像機(jī)械式繼電器那樣因金屬接點(diǎn)產(chǎn)生開閉音,因此有助于設(shè)備的靜音化。


8、 高速響應(yīng)性

0.2ms(SSOP、USOP、VSON)的動作時(shí)間比機(jī)械式繼電器的3ms-5ms明顯縮短。實(shí)現(xiàn)了迅速的響應(yīng)性。


9、正確控制微小模擬信號


聯(lián)系方式:鄒先生

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