集射極間電壓
信息來(lái)源：本站 日期：2017-05-15
射極開(kāi)路的時(shí)分，集射極間能夠承受的最大電壓 。它是器件的最小額定電壓。假設(shè)基射極間的電阻很小 （ 50 lOO!l） ，那么在關(guān)斷狀態(tài)下晶體管能夠承受一個(gè)更高的電壓。
反向偏置安全工作區(qū)域。在關(guān)斷期間，le-Vee曲線不能越過(guò)給出的邊境。就算是一次越界也可能損壞晶體管，由于電流會(huì)集中在芯片的某個(gè)小部分 ，招致局部過(guò)熱 。若在關(guān)斷瞬 間加上］～5V的反偏電壓，可工作在邊境以內(nèi)。若關(guān)斷時(shí) Vbe=O ，則晶體管只能工作在區(qū)域內(nèi) .能同時(shí)滿足高、低盧值的晶體管工作懇求的設(shè)計(jì)方案產(chǎn)品的盧值的離散性很大，可能相差4倍之多。假設(shè)基極電流可以較好的驅(qū)動(dòng)盧值低的晶體管，那么它將對(duì)F值高的晶體管構(gòu)成很強(qiáng)的過(guò)驅(qū)動(dòng) ，招致過(guò)長(zhǎng)的儲(chǔ)存時(shí)間 。假設(shè)要縮短過(guò) 長(zhǎng)的儲(chǔ)存時(shí)間 ，需求的反向基極電流就會(huì)相當(dāng)大 。
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