漏極電流和漏源極間電壓
信息來(lái)源:本站 日期:2017-05-12
90%滿載狀況下 ,輸入電壓為其最小值 、最大值及額定值時(shí)漏極 電流和漏源極間電壓的波形這些波形如圖 14.19 所示 。MOS管開(kāi)關(guān)電源管導(dǎo)通時(shí) ,初級(jí)電流波形是線性增加的斜坡外形
關(guān)斷霎時(shí) ,上升的漏極電壓上有漏感尖峰 。尖峰的數(shù)值由 RCD 緩沖器的電容 C2 控制。這個(gè)電容器件應(yīng)選得足夠大 ,既能限制漏感尖峰以保證開(kāi)關(guān)管平安 ,又不 會(huì)使緩沖器電阻 RI 上的損耗 過(guò)大。
從圖 14.19 中的波形可見(jiàn),飛c 增加時(shí),為堅(jiān)持主輸出電壓恒定脈寬變窄了 ( 反應(yīng)環(huán)起作 用)。從波形還能夠看出 ,輸出功率恒定時(shí)斜坡電流峰值在一切輸入電壓 F都相等 。
如圖 14.19 所示,漏感尖峰過(guò)后 ,漏源極間電壓降落 ( 除了尖峰后有一小段的平臺(tái)) 到
。而 且 保 持 該 值 直 到 復(fù) 位 伏 秒 數(shù) 等 于 置 位 伏 秒 數(shù)
,然后再降落至幾 。
圖 14.20 所示為更低的總輸出功率 ( 17W) 下,不同輸入電壓時(shí)測(cè)得的披形 。能夠看到 , 一切導(dǎo)通脈寬都很窄 ,一切初級(jí)電流峰值 C di= Vprimary ton IL ) 都很低 。這是由于從輸入母線 吸收的功率[ 只(]P )2 IT ] 變小了 。導(dǎo)通完畢時(shí)初級(jí)電流峰值變低使漏感尖峰也降低了 。
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