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快恢復(fù)二極管電路圖應(yīng)用工作過程與原理解析-快恢復(fù)二極管的作用-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-07-19 

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快恢復(fù)二極管電路圖應(yīng)用工作過程與原理解析-快恢復(fù)二極管的作用

快恢復(fù)二極管介紹

主要講快恢復(fù)二極管電路圖的一些應(yīng)用電路??旎謴?fù)二極管(簡稱FRD)是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時間短特點的半導(dǎo)體二極管,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中,作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。

快恢復(fù)二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關(guān)速度,同時也能得到較高的耐壓。目前快恢復(fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源中做整流元件。


快恢復(fù)二極管電路圖


快恢復(fù)二極管的作用是什么?

答 1:

一般地說用于較高頻率的整流和續(xù)流。

至于電源模塊的輸入部份,好像頻率不高,不必用快恢復(fù)二極管,用普通二極管即可。


答 2:

對于二極管來說,加在其兩端的電壓由正向變到反向時,響應(yīng)時間一般很短,而相反的由反向變正向時其時間相對較長,此即為反向恢復(fù)時間,當(dāng)二極管用做高頻整流等時,要求反向恢復(fù)時間很短,此時就需要快恢復(fù)二極管(FRD),更高的超快恢復(fù)二極管(SRD),開關(guān)二極管,最快的是肖特基管(其原理不同于以上幾個二極管)


快恢復(fù)二極管(簡稱FRD)是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時間短特點的半導(dǎo)體二極管,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中,作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。


快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管不同,它屬于PIN結(jié)型二極管,即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I,構(gòu)成PIN硅片。因基區(qū)很薄,反向恢復(fù)電荷很小,所以快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時間較短,正向壓降較低,反向擊穿電壓(耐壓值)較高。


通常,5~20A的快恢復(fù)二極管管采用TO–220FP塑料封裝,20A以上的大功率快恢復(fù)二極管采用頂部帶金屬散熱片的TO–3P塑料封裝,5A以下的快恢復(fù)二極管則采用DO–41、DO–15或DO–27等規(guī)格塑料封裝。


快恢復(fù)二極管工作原理

快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I,構(gòu)成PIN硅片。因基區(qū)很薄,反向恢復(fù)電荷很小,不僅大大減小了TRR值,還降低了瞬態(tài)正向壓降,使管子能承受很高的反向工作電壓。


快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時間一般為幾百納秒,正向壓降約為0.6V,正向電流是幾安培至幾千安培,反向峰值電壓可達(dá)幾百到幾千伏。超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進(jìn)一步減小,使其trr可低至幾十納秒。20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大多采用TO-220封裝形式。


加負(fù)電壓(或零偏壓)時,快恢復(fù)二極管等效為電容+電阻;加正電壓時,快恢復(fù)二極管等效為小電阻。用改變結(jié)構(gòu)尺寸及選擇快恢復(fù)二極管參數(shù)的方法,使短路的階梯脊波導(dǎo)的反射相位(基準(zhǔn)相位)與加正電壓的PIN管控制的短路波導(dǎo)的反射相位相同。還要求加負(fù)電壓(或0偏置)的快恢復(fù)二極管控制的短路波導(dǎo)的反射相位與標(biāo)準(zhǔn)相位相反(-164°~+164°之間即可)。


快恢復(fù)二極管電路圖的工作過程及失效分析

1、開封解析

二極管失效經(jīng)過分析一直是機械應(yīng)力導(dǎo)致失效,生產(chǎn)過程問題,后采取大比例對異常批次二極管進(jìn)行全檢,來料全險發(fā)現(xiàn)多單二極管反向漏電流嚴(yán)重超標(biāo),實測值在1000MA以上,二極管全檢異常品未進(jìn)行強電測試,對全檢漏電流超標(biāo)二極管進(jìn)行開封解析同樣存在晶元裂紋,將二極管寄給安森美分析確認(rèn)晶圓同樣有裂紋、開封解析及電鏡掃描圖如圖1所示。


快恢復(fù)二極管電路圖

圖1 失效品開封解析與電鏡掃描圖片


2、二極管晶圓裂紋產(chǎn)生機械應(yīng)力影響分析

排查二極管自插環(huán)節(jié)設(shè)備發(fā)現(xiàn),二極管插裝后引腳存在嚴(yán)重的應(yīng)力,兩邊引腳嚴(yán)重變形。有內(nèi)應(yīng)力損傷問題,一般設(shè)計要求建議打點位置中心點到元件本體側(cè)面的距離在1.5~2倍的D(本體直徑),實際主板引腳跨距是1:1的尺寸。一般二極管引線跨距設(shè)計要求,引線直徑在0.7-0.8,彎腳點離本體距離最小要在3.5左右,下線機型集中在使用了PCB 37002488的機型上面,失效位置集中在IPM(D18-D20)當(dāng)中,而在開關(guān)電源電路D701當(dāng)中該二極管失效較少;根據(jù)對PCB板圖紙的排查,同一款PCB:IPM(D18-D20)間距為10.16mm,向電源電路D701卻為13.6mm。


按照IPM(D18-D20)間距為10.16mm,達(dá)不到此要求,若是彎角時輕微受力再經(jīng)過波峰焊的作用更容易出問題了;分析判定、部分PCB 35030124二極管插裝間距設(shè)計不符合廠家推薦的插裝間距要求,也不符合我司標(biāo)準(zhǔn)封裝庫35030124 13.5mm要求。


二極管插裝前剪腳沒有固定引腳進(jìn)行成型,導(dǎo)致二極管插裝后左右引腳成型不良,實際設(shè)備無法保證,存在應(yīng)力隱患。


二極管應(yīng)用PCB板設(shè)計引腳之間插裝跨距設(shè)計不合格要求,跨距偏小,導(dǎo)致自插受力隱患大。


3、二極管X光透射、電鏡掃描分析

經(jīng)過對失效二極管進(jìn)行X光透射分沂,二極管晶元與杜美絲之間焊接部分有焊料融化外延跡象,先燒裂后破損。是融化硅向外延升。使用電鏡掃描可以看到有釬料融化跡象,二極管X光透射與電鏡掃描分析圖片如圖2所示。


快恢復(fù)二極管電路圖

圖2 二極管X光透射與電鏡掃描分析圖


4、快恢復(fù)二極管應(yīng)用電路工作過程

系統(tǒng)初始在上電瞬間自舉電容兩端電壓為零,如果IPM需要正常啟動工作,驅(qū)動電路VCC就需要正常供電,初始化時沒有電壓,在IPM工作前,需要對自舉電容進(jìn)行充電,通過控制驅(qū)動信號足夠脈沖數(shù)量,精確控制IGBT開通,將電容兩端電壓抬升至目標(biāo)電壓,具體工作過程為:在上電瞬間需要對自舉電容進(jìn)行充電,下橋臂的IGBT開通將對應(yīng)相輸出電壓拉低到地,電源通過自舉電阻、自舉二極管對電容進(jìn)行充電。


當(dāng)上橋IGBT開通時,輸出電壓再次升至母線電壓水下。電容兩端電壓因不能突變,兩端電壓仍保持在供電電壓水平,同時給IGBT驅(qū)動提供電壓。自舉二極管反向截止,將弱電電源部分與母線電壓有效隔離,避免強電導(dǎo)入弱電擊穿電路器件,以上是半個循環(huán),后續(xù)周而復(fù)始進(jìn)行。


電路分沂結(jié)果表明,通過對IPM自舉電路初始上電工作瞬間工作原理及工乍過程進(jìn)行分析發(fā)現(xiàn),在電路開始工作之前系統(tǒng)初始化階段,下橋IGBT開啟自舉電容充電過程二吸管承受電壓最小,二極管不會存在過壓失效可能,上橋IGBT開啟過程二極管此時起到強弱電的有效隔離,兩端承受電壓最大,除IP同外為此電路承受電壓沖擊頻率最大器件,如果器件因各種因素導(dǎo)致反向耐壓偏低極易出現(xiàn)器件反向耐壓不足擊穿失效。導(dǎo)致內(nèi)部IGBT開通異常急劇發(fā)熱炸裂,所以經(jīng)過對失效主板分析及器件應(yīng)用電路分析判斷,二極管異常導(dǎo)致炸板,經(jīng)過實際模擬驗證二極管耐壓偏低確實可以導(dǎo)致模塊炸失效,與下線故障現(xiàn)象一致。


主版失效表現(xiàn)為IPM炸裂失效、經(jīng)過對失效主板進(jìn)行檢測分析及大量信息收集,確定二極管、IPM等失效集中在DCT測試工序上電瞬間,壓縮機未啟動即出現(xiàn)失效,接下來簡單分析逆變電路上電腦同工作過程。電路工作簡圖如圖3所示。


快恢復(fù)二極管電路圖

圖3 二極管應(yīng)用電路


二極管失效集中IPM自學(xué)電路,對IPM自舉電路工作原理及過程進(jìn)行分析,電壓自舉抬升就是利用電路自身產(chǎn)生比輸入電壓更高的電壓,實質(zhì)是利用電容兩端電壓不能瞬間突變通過對電路進(jìn)行調(diào)節(jié)控制來改變電路某點的瞬時電位,自舉電路一般由四部分組成,即電源供電部分、自舉電阻、自舉二極管和自舉電容。


快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)

快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管不同,它屬于PIN結(jié)型二極管,即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I,構(gòu)成PIN硅片。


因為PD的主要有源區(qū)是勢壘區(qū),所以展寬勢壘區(qū)即可提高靈敏度。p-i-n結(jié)快恢復(fù)二極管實際上也就是人為地把p-n結(jié)的勢壘區(qū)寬度加以擴展,即采用較寬的本征半導(dǎo)體(i)層來取代勢壘區(qū),而成為了p-i-n結(jié)。


p-i-n結(jié)快恢復(fù)二極管的有效作用區(qū)主要就是存在有電場的i型層(勢壘區(qū)),則產(chǎn)生光生載流子的有效區(qū)域增大了,擴散的影響減弱了,并且結(jié)電容也大大減小了,所以其光檢測的靈敏度和響應(yīng)速度都得到了很大的提高。


快恢復(fù)二極管電路圖


快恢復(fù)二極管特點

快恢復(fù)二極管的最主要特點是它的反向恢復(fù)時間(trr)在幾百納秒(ns)以下,超快恢復(fù)二極管甚至能達(dá)到幾十納秒。


快恢復(fù)二極管電路圖


圖是反向恢復(fù)電流的波形圖。圖中IF為正向電流,IRM為最大反向恢復(fù)電流,Irr為反向恢復(fù)電流,通常規(guī)定Irr=0.1IRM。當(dāng)t≤t0時,正向電流I=IF。當(dāng)t>t0時,由于整流管上的正向電壓突然變成反向電壓,因此,正向電流迅速減小,在t=t1時刻,I=0。然后整流管上的反向電流IR逐漸增大;在t=t2時刻達(dá)到最大反向恢復(fù)電流IRM值。此后受正向電壓的作用,反向電流逐漸減小,并且在t=t3時刻達(dá)到規(guī)定值Irr。從t2到t3的反向恢復(fù)過程與電容器放電過程有相似之處。由t1到t3的時間間隔即為反向恢復(fù)時間trr。


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