車載功放,mos管

車載功放

車載功放，就是車載影音系統(tǒng)中的音頻功率放大器。功率放大器簡(jiǎn)稱功放。

車載功放的分類

功率放大器可以按不同的用途分類：

1、有的汽車功率放大器是專門為推動(dòng)低音揚(yáng)聲器設(shè)計(jì)的，如：健伍KAC—PS401M(14.4V，4歐姆)，最大功率1200W x1。內(nèi)置次聲濾波器，省去了外接濾波器。

2、帶均衡器的功率放大器，如：索尼XM一604EQX。EQX備有的揚(yáng)聲器有5段均衡器，可因個(gè)人喜好或不同的車廂空間調(diào)校音色。每一個(gè)EQX系列均有5種頻率供選擇。

3、5聲道功率放大器，如：索尼XM一405EQX、健伍KAC一859等，通常使用2聲道或4聲道功率放大器來(lái)推動(dòng)前后揚(yáng)聲器。低音揚(yáng)聲器是用另一只功率放大器推動(dòng)，這樣占用面積太大，而使用5聲道功率放大器，一塊功放就可以解決問(wèn)題。

4、多片X卡功率放大器，如：來(lái)福punch 400.4。獨(dú)特的X卡為功率放大器提供了幾乎是無(wú)限多樣的分音選擇：高通、帶通、低通，甚至是超音頻的濾波器。它可以起到以一抵十的作用。

5、電子分音器模塊式功率放大器，如：KICKER ZR360。這些控制模塊是讓你選定哪一種訊號(hào)會(huì)到功率放大器及到功率放大器的RCA輸出，選定所需要的頻率及分音點(diǎn)。通過(guò)更換模塊，可以使一個(gè)功率放大器變成多樣化的功率放大器使用。

車載功放mos管選型

以下是車載功放mos管選型（需了解更多型號(hào)，請(qǐng)聯(lián)系我們）

Part Number	ID（A）	BVDSS（v）	Typical RDS(ON)@60% ID（Ω）	MAX RDS(ON)@60% ID（Ω）	ciss
					pF
KIA50N06B	50	60	0.0105	0.012	2060
KIA2906A	130	60	0.0055	0.007	3100
KIA75NF75	80	80	0.007	0.009	3110
KNX3306A	80	60	0.007	0.0085	3390
KNX3306B	80	60	0.007	0.008	3080
KNX3206A	110	60	0.0065	0.008	3400

車載功放mos管廠家

深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司（簡(jiǎn)稱KIA）.是一家專業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。

KIA現(xiàn)已經(jīng)擁有了獨(dú)立的研發(fā)中心，研發(fā)人員以來(lái)自韓國(guó)(臺(tái)灣)超一流團(tuán)隊(duì)，可以快速根據(jù)客戶應(yīng)用領(lǐng)域的個(gè)性來(lái)設(shè)計(jì)方案，同時(shí)引進(jìn)多臺(tái)國(guó)外先進(jìn)設(shè)備，業(yè)務(wù)含括功率器件的直流參數(shù)檢測(cè)、雪崩能量檢測(cè)、可靠性實(shí)驗(yàn)、系統(tǒng)分析、失效分析等領(lǐng)域。強(qiáng)大的研發(fā)平臺(tái)，使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面擁有知識(shí)產(chǎn)權(quán)35項(xiàng)，并掌握多項(xiàng)場(chǎng)效應(yīng)管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力。

強(qiáng)大的研發(fā)平臺(tái)，使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面擁有知識(shí)產(chǎn)權(quán)35項(xiàng)，并掌握多項(xiàng)場(chǎng)效應(yīng)管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力。

KIA半導(dǎo)體的產(chǎn)品涵蓋工業(yè)、新能源、交通運(yùn)輸、綠色照明四大領(lǐng)域，不僅包括光伏逆變及無(wú)人機(jī)、充電樁、這類新興能源，也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產(chǎn)品的精細(xì)化與革新，力求為客戶提供最具行業(yè)領(lǐng)先、品質(zhì)上乘的科技產(chǎn)品。

從設(shè)計(jì)研發(fā)到制造再到倉(cāng)儲(chǔ)物流，KIA半導(dǎo)體真正實(shí)現(xiàn)了一體化的服務(wù)鏈，真正做到了服務(wù)細(xì)節(jié)全到位的品牌內(nèi)涵，我們致力于成為場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)跑者，為了這個(gè)目標(biāo)，KIA半導(dǎo)體正在持續(xù)創(chuàng)新，永不止步！

MOS管功放優(yōu)缺點(diǎn)解析

（一）優(yōu)點(diǎn)

1、MOS 管功放具有鼓勵(lì)功率小，輸出功率大，輸出漏極電流具有負(fù)溫度系數(shù)，平安牢靠，且有工作頻率高，偏置簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。以運(yùn)放的輸出作為OCL 的輸入，到達(dá)抑止零點(diǎn)漂移的效果。

2、中音厚，沒(méi)有三極管那么大的交越失真。

電流推進(jìn)級(jí)通常由一至二級(jí)組成，為了降低輸出阻抗、增加阻尼系數(shù)，常采用二級(jí)電流推進(jìn)。為了防止電流推進(jìn)級(jí)產(chǎn)生開(kāi)關(guān)失真，較好的作法是、采用MOS管并增大本級(jí)的靜態(tài)電流，這樣本級(jí)不會(huì)產(chǎn)生開(kāi)關(guān)失真，由于任何狀況下電流推進(jìn)級(jí)一直處于放大區(qū)，所以電流輸出級(jí)也一直處于放大區(qū)，因而輸出級(jí)同樣不會(huì)產(chǎn)生開(kāi)關(guān)失真和交越失真。

3、MOS管的線性比晶體管好。

（二）缺點(diǎn)

1、低頻的溫和度比晶體管功放差，MOSFET開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管容易被輸出和輸入過(guò)載損壞,MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管既具有晶體管的根本優(yōu)點(diǎn)。但運(yùn)用不久發(fā)現(xiàn)這種功放的牢靠性不高（無(wú)法外電路維護(hù)），開(kāi)關(guān)速度進(jìn)步得不多和最大輸出功率僅為150W/8Ω等。

90年代初，MOSFET的制造技術(shù)有了很大打破，呈現(xiàn)了一種高速M(fèi)OSFET大功率開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。西班牙藝格公司（ECLER）經(jīng)多年研討，攻克了非毀壞性維護(hù)系統(tǒng)的SPM專利技術(shù)，推出了集電子管功放和晶體管功放兩者優(yōu)點(diǎn)分離的第3代功放產(chǎn)品，在歐洲市場(chǎng)上取得了認(rèn)可，并逐漸在世界上得到了應(yīng)用。

第3代MOSFET功放的中頻和高頻音質(zhì)接近電子管功放，但低頻的溫和度比晶體管功放差一些，此外MOSFET開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管容易被輸出和輸入過(guò)載損壞。

2、開(kāi)啟電壓太高。

3、偏流開(kāi)很大，還是有一定的交越失真,沒(méi)交越失真，差不多能夠趕上三極管的甲類輸出功耗。

4、MOS管不好配對(duì)在同一批次管，相對(duì)來(lái)說(shuō)要好配對(duì)一點(diǎn)。

5、MOS管的低頻下太硬,用MOS功放聽(tīng)出所謂電子管音色有一個(gè)簡(jiǎn)單方法，把普通三極管功放里的電壓推進(jìn)三極管換成JFET，JFET才真正具有電子管音色。

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