MOS管安全工作區(qū)(SOA)分析-如何確保MOS管工作在安全區(qū)-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2019-05-07
mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)、半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。
電源工程師最怕什么?炸機(jī)!用著用著就壞了,莫名其妙MOS管就炸了,真是又怕又恨,可到底是哪里出問題了呢?這一切都和SOA相關(guān)。
我們知道開關(guān)電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開關(guān)器件長期工作于高電壓大電流狀態(tài),承受著很大的功耗,一但過壓或過流就會導(dǎo)致功耗大增,晶圓結(jié)溫急劇上升,如果散熱不及時,就會導(dǎo)致器件損壞,甚至可能會伴隨爆炸,非常危險。這里就衍生一個概念,安全工作區(qū)。
安全工作區(qū):SOA(Safe operating area)是由一系列(電壓,電流)坐標(biāo)點(diǎn)形成的一個二維區(qū)域,開關(guān)器件正常工作時的電壓和電流都不會超過該區(qū)域。簡單的講,只要器件工作在SOA區(qū)域內(nèi)就是安全的,超過這個區(qū)域就存在危險。
功率MOS管的安全工作區(qū)(SOA)受最大漏源電壓VDSmax ,最大漏極電流IDmax ,最大允許功耗Pmax和導(dǎo)通電阻Ron4個參數(shù)的限制。其中VDSmax 即為漏源擊穿電壓VBR,IDmax即為漏極飽和電流IDsat,而Pmax則由溫度及熱阻決定,可表示為:
式中:Tjmax為最高工作結(jié)溫;TC為環(huán)境溫度;Rthjc為熱阻,由散熱方式?jīng)Q定。當(dāng)器件工作時,所產(chǎn)生的熱量和散熱器所散發(fā)的熱量相等,處于熱平衡態(tài)。當(dāng)TC升高,散熱器的散熱效率降低,導(dǎo)致 P max 減小。根據(jù)上述分析可知,T升高,Ron增大,IDmax 減小,VDSmax 增大,Pmax減小。 圖3示出功率MOSFET的SOA示意圖。
由圖可見,與功率晶體管相比,功率MOSFET 雖不存在由雙極晶體管過熱引起的二次擊穿現(xiàn)象, SOA 相對較寬,但在高溫下,功率MOSFET的SOA縮小,允許通過的最大電流下降。所以,使用時要注意將功率 MOSFET 的漏極電流控制在SOA內(nèi),否則會導(dǎo)致器件失效。
開關(guān)器件的各項(xiàng)參數(shù)在數(shù)據(jù)手冊中都會明確標(biāo)注,這里我們先來解讀兩個參數(shù):
lVDS(Drain-source voltage):漏源電壓標(biāo)稱值,反應(yīng)的是漏源極能承受的最大的電壓值;
lIDM(Drain current(pulsed)):漏源最大單脈沖電流(非重復(fù)脈沖),反應(yīng)的是漏源極可承受的單次脈沖電流強(qiáng)。
開關(guān)器件參數(shù)表
器件手冊一般都會提供SOA(Safe operating area)數(shù)據(jù)圖表,主要和晶圓的散熱、瞬間電壓和電流的承受能力有關(guān),通過IDM和VDS及器件晶圓溝道損耗的限制形成一個工作區(qū)域,稱為安全工作區(qū),如下圖所示。安全工作區(qū)可以避免管子因結(jié)溫過高而損壞。
器件手冊 SOA 曲線圖
示波器的測試應(yīng)用非常簡單,使用電壓、電流探頭正常測試開關(guān)管的VDS和IDM,并打開SOA分析功能,對照數(shù)據(jù)手冊的SOA數(shù)據(jù)設(shè)置好示波器的SOA參數(shù)即可。一但波形觸碰到安全區(qū)以外的區(qū)域,就說明器件超額工作,存在危險。
1、支持連續(xù)測試,并統(tǒng)計(jì)通過及失敗的總數(shù)次,該模式可用于連續(xù)烤機(jī)測試。
2、支持觸碰(波形超出安全區(qū)域)停止、自動截圖、聲音提示操作。
3、安全工作區(qū)可通過電壓、電流、功率限制設(shè)定,也可自定義設(shè)定。
示波器SOA測試波形圖
開關(guān)器件的安全工作區(qū)是一項(xiàng)非常重要的參數(shù),通過示波器的SOA分析功能,可以快速有效的確定器件的工作是否安全,確保產(chǎn)品安全可靠。
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