mos管功率各種參數(shù)大全

mos管基本參數(shù)

向傳輸電容 Crss = CGD .

Coss:輸出電容 Coss = CDS +CGD .

Ciss:輸入電容 Ciss= CGD + CGS ( CDS 短路).

Tf :下降時刻.輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 90% 的時刻.

Td(off) :關(guān)斷延遲時刻.輸入電壓下降到 90%開端到 VDS 上升到其關(guān)斷電壓時 10% 的時刻.

Tr :上升時刻.輸出電壓 VDS 從 90% 下降到其幅值 10% 的時刻.

Td(on):導(dǎo)通延遲時刻.從有輸入電壓上升到 10% 開端到 VDS 下降到其幅值90%的時刻.

Qgd :柵漏充電(考慮到 Miller效應(yīng))電量.

Qgs:柵源充電電量.

Qg :柵極總充電電量.

MOSFET是電壓型驅(qū)動器材,驅(qū)動的進程即是柵極電壓的建立進程,這是經(jīng)過對柵源及柵漏之間的電容充電來完成的,下面將有此方面的詳細論述.

gfs:跨導(dǎo).是指漏極輸出電流的改變量與柵源電壓改變量之比,是柵源電壓對漏極電流操控才能巨細的測量. gfs 與 VGS 的轉(zhuǎn)移聯(lián)系圖如下圖所示.

動態(tài)參數(shù)

IGSS :柵源驅(qū)動電流或反向電流.由于 MOSFET 輸入阻抗很大,IGSS 通常在納安級.

IDSS :飽滿漏源電流,柵極電壓 VGS=0 、

VDS 為必定值時的漏源電流.通常在微安級.

VGS(th) :敞開電壓(閥值電壓).當(dāng)外加?xùn)艠O操控電壓 VGS超越VGS(th)

時,漏區(qū)和源區(qū)的外表反型層形成了銜接的溝道.應(yīng)用中,常將漏極短接前提下 ID即是毫安時的柵極電壓稱為敞開電壓.此參數(shù)通常會隨結(jié)溫度的上升而有所下降.

RDS(on) :在特定的 VGS (通常為 10V)、結(jié)溫及漏極電流的前提下, MOSFET 導(dǎo)通時漏源間的最大阻抗.它是一個非常重要的參數(shù),決定了MOSFET導(dǎo)通時的消耗功率.此參數(shù)通常會隨結(jié)溫度的上升而有所增大（正溫度特性）. 故應(yīng)以此參數(shù)在最高作業(yè)結(jié)溫前提下的值作為損耗及壓降計算.

△V(BR)DSS/ △

Tj :漏源擊穿電壓的溫度系數(shù),通常為0.1V/ ℃.

V(BR)DSS :漏源擊穿電壓.是指柵源電壓 VGS 為 0

時,場效應(yīng)管正常作業(yè)所能接受的最大漏源電壓.這是一項極限參數(shù),加在場效應(yīng)管上的作業(yè)電壓必需小于V(BR)DSS .它具有正溫度特性.故應(yīng)以此參數(shù)在低溫前提下的值作為安全考慮. 加負壓非常好。

靜態(tài)參數(shù)

TSTG :存儲溫度范圍.

Tj:最大作業(yè)結(jié)溫.通常為 150 ℃或 175 ℃ ,器材規(guī)劃的作業(yè)前提下須確應(yīng)防止超越這個溫度,并留有必定裕量. （此參數(shù)靠不?。?

VGS:最大柵源電壓.，通常為：-20V~+20V

PD:最大耗散功率.是指場效應(yīng)管機能不變壞時所容許的最大漏源耗散功率.使用時,場效應(yīng)管實踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有必定余量.此參數(shù)通常會隨結(jié)溫度的上升而有所減額.（此參數(shù)靠不住）

IDM:最大脈沖漏源電流.表現(xiàn)一個抗沖擊才能，跟脈沖時刻也有聯(lián)系，此參數(shù)會隨結(jié)溫度的上升而有所減額.

ID:最大漏源電流.是指場效應(yīng)管正常作業(yè)時,漏源間所容許經(jīng)過的最大電流.場效應(yīng)管的作業(yè)電流不應(yīng)超越 ID .此參數(shù)會隨結(jié)溫度的上升而有所減額.

極限參數(shù)

ards---漏源電阻溫度系數(shù)

aID---漏極電流溫度系數(shù)

Vn---噪聲電壓

η---漏極效率（射頻功率管）

Zo---驅(qū)動源內(nèi)阻

VGu---柵襯底電壓（直流）

VDu---漏襯底電壓（直流）

Vsu---源襯底電壓（直流）

VGD---柵漏電壓（直流）

VDS(sat)---漏源飽滿電壓

VDS(on)---漏源通態(tài)電壓

V（BR）GSS---漏源短路時柵源擊穿電壓

Vss---源極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）

VGG---柵極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）

VDD---漏極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）

VGSR---反向柵源電壓（直流）

VGSF--正向柵源電壓（直流）

Tstg---貯成溫度

Tc---管殼溫度

Ta---環(huán)境溫度

Tjm---最大容許結(jié)溫

Tj---結(jié)溫

PPK---脈沖功率峰值（外電路參數(shù)）

POUT---輸出功率

PIN--輸入功率

PDM---漏極最大容許耗散功率

PD---漏極耗散功率

R(th)ja---結(jié)環(huán)熱阻

R(th)jc---結(jié)殼熱阻

RL---負載電阻（外電路參數(shù)）

Rg---柵極外接電阻（外電路參數(shù)）

rGS---柵源電阻

rGD---柵漏電阻

rDS(of)---漏源斷態(tài)電阻

rDS(on)---漏源通態(tài)電阻

rDS---漏源電阻

Ls---源極電感

LD---漏極電感

L---負載電感（外電路參數(shù)）

Ku---傳輸系數(shù)

K---失調(diào)電壓溫度系數(shù)

gds---漏源電導(dǎo)

ggd---柵漏電導(dǎo)

GPD---共漏極中和高頻功率增益

GpG---共柵極中和高頻功率增益

Gps---共源極中和高頻功率增益

Gp---功率增益

gfs---正向跨導(dǎo)

Ipr---電流脈沖峰值（外電路參數(shù)）

Iu---襯底電流

IDSS2---對管第二管漏源飽滿電流

IDSS1---對管第一管漏源飽滿電流

IGSS---漏極短路時截止柵電流

IF---二極管正向電流

IGP---柵極峰值電流

IGM---柵極脈沖電流

IGSO---漏極開路時，截止柵電流

IGDO---源極開路時，截止柵電流

IGR---反向柵電流

IGF---正向柵電流

IG---柵極電流（直流）

IDS(sat)---溝道飽滿電流（漏源飽滿電流）

IDSS---柵-源短路時，漏極電流

IDSM---最大漏源電流

IDS---漏源電流

IDQ---靜態(tài)漏極電流（射頻功率管）

ID(on)---通態(tài)漏極電流

dv/dt---電壓上升率（外電路參數(shù)）

di/dt---電流上升率（外電路參數(shù)）

Eas:單次脈沖雪崩擊穿能量

Ear:重復(fù)雪崩擊穿能量

Iar: 雪崩電流

一些別的的參數(shù)

Ton:正導(dǎo)游通時刻.(根本能夠忽略不計).

Qrr :反向恢復(fù)充電電量.

Trr :反向恢復(fù)時刻.

VSD :正導(dǎo)游通壓降.

ISM:脈沖最大續(xù)流電流(從源極).

IS :接連最大續(xù)流電流(從源極).

體內(nèi)二極管參數(shù)

結(jié)點到鄰近環(huán)境的熱阻,含義同上.

外殼到散熱器的熱阻,含義同上.

結(jié)點到外殼的熱阻.它標(biāo)明當(dāng)耗散一個給定的功率時,結(jié)溫與外殼溫度之間的差值巨細.公式表達⊿ t = PD* ?.

熱阻

EAR:重復(fù)雪崩擊穿能量.

IAR :雪崩電流.

EAS :單次脈沖雪崩擊穿能量.這是個極限參數(shù),闡明 MOSFET 所能接受的最大雪崩擊穿能量.

雪崩擊穿特性參數(shù):這些參數(shù)是 MOSFET 在關(guān)斷狀態(tài)能接受過壓才能的目標(biāo).假設(shè)電壓超越漏源極限電壓將致使器材處在雪崩狀態(tài).

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