MOS管GS并聯(lián)電阻的作用分析及MOS管擊穿的原因與解決方案-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2019-01-18
MOS管GS并聯(lián)電阻的作用,在MOS管的驅(qū)動電路里,某些場合下,會看到這個電阻,在某些場合中,又沒有這個電阻.這個電阻的值比較常見的為5k,10k.但是這個電阻有什么用呢?
在分析這個問題之間,可以做一個簡單的實驗:
找一個mos管,MOS管GS擊穿讓它的G懸空,然后在DS上加電壓,結(jié)果是怎樣?結(jié)果是在輸入電壓才幾十V的時候,管子就燒掉了,因為管子導(dǎo)通了.
為什么mos管在沒有加驅(qū)動信號(比如驅(qū)動芯片在沒啟動或者損壞的情況下芯片驅(qū)動腳為高阻態(tài))的前提下會導(dǎo)通,那是因為管子的DG,GS之間分別有結(jié)電容,Cdg和Cgs.所以加在DS之間電壓會通過Cdg給Cgs充電,這樣G極的電壓就會抬高直到mos管導(dǎo)通.
所以在驅(qū)動電路沒有工作,而且沒有放電回路的時候,mos管很容易被擊穿.假如采用變壓器驅(qū)動,變壓器繞組可以起到放電作用,所以即使不加GS電阻,在驅(qū)動沒有的情況下,管子也不會自己導(dǎo)通 。
1、防靜電損壞MOS(看到個理由是這么說的:由于結(jié)電容比較小根據(jù)公式U=Q/C,所以較小的Q也會導(dǎo)致較大的電壓,導(dǎo)致mos管壞掉)
2、提供固定偏置,在前級電路開路時,這個較小的電阻可以保證MOS有效的關(guān)斷(理由:G極開路,當(dāng)電壓加在DS端時候,會對Cgd充電,導(dǎo)致G極電壓升高,不能有效關(guān)斷)
3、下面還有就是對電阻大小的解釋,如果太小了,驅(qū)動電流就會大,驅(qū)動功率增加;如果太大,MOS的關(guān)斷時間會增大;
第一、MOS管本身的輸入電阻很高,而柵源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電,而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓(U=Q/C),將管子損壞。雖然MOS輸入端有抗靜電的保護(hù)措施,但仍需小心對待,在存儲和運輸中最好用金屬容器或者導(dǎo)電材料包裝,不要放在易產(chǎn)生靜電高壓的化工材料或化纖織物中。組裝、調(diào)試時,工具、儀表、工作臺等均應(yīng)良好接地。要防止操作人員的靜電干擾造成的損壞,如不宜穿尼龍、化纖衣服,手或工具在接觸集成塊前最好先接一下地。對器件引線矯直彎曲或人工焊接時,使用的設(shè)備必須良好接地。
第二、MOS電路輸入端的保護(hù)二極管,其導(dǎo)通時電流容限一般為1mA,在可能出現(xiàn)過大瞬態(tài)輸入電流(超過10mA)時,應(yīng)串接輸入保護(hù)電阻。因此應(yīng)用時可選擇一個內(nèi)部有保護(hù)電阻的MOS管應(yīng)。還有由于保護(hù)電路吸收的瞬間能量有限,太大的瞬間信號和過高的靜電電壓將使保護(hù)電路失去作用。所以焊接時電烙鐵必須可靠接地,以防漏電擊穿器件輸入端,一般使用時,可斷電后利用電烙鐵的余熱進(jìn)行焊接,并先焊其接地管腳。
MOS是電壓驅(qū)動元件,對電壓很敏感,懸空的G很容易接受外部干擾使MOS導(dǎo)通,外部干擾信號對G-S結(jié)電容充電,這個微小的 電荷可以儲存很長時間。在試驗中G懸空很危險,很多就因為這樣爆管,G接個下拉電阻對地,旁路干擾信號就不會直通了,一般可以10~20K。這個電阻稱為柵極電阻,作用1:為場效應(yīng)管提供偏置電壓;作用2:起到瀉放電阻的作用(保護(hù)柵極G~源極S)。第一個作用好理解,這里解釋一下第二個作用的原理:保護(hù)柵極G~源極S:場效應(yīng)管的G-S極間的電阻值是很大的,這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效電容兩端產(chǎn)生很高的電壓,如果不及時把這些少量的靜電瀉放掉,他兩端的高壓就有可能使場效應(yīng)管產(chǎn)生誤動作,甚至有可能擊穿其G-S極;這時柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉,從而起到了保護(hù)場效應(yīng)管的作用。
1.可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。
2.很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。
3.可以用作可變電阻。
4.可以方便地用作恒流源。
5.可以用作電子開關(guān)。
6.在電路設(shè)計上的靈活性大。柵偏壓可正可負(fù)可零,三極管只能在正向偏置下工作,電子管只能在負(fù)偏壓下工作。另外輸入阻抗高,可以減輕信號源負(fù)載,易于跟前級匹配。
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