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KIA35P10A替代CMD5950規(guī)格書(shū) 廠家直銷-低內(nèi)阻 雪崩沖擊小-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2018-12-26 

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KIA35P10A替代CMD5950

KIA35P10A 產(chǎn)品描述

KIA35P10A采用先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù),提供優(yōu)良的RDS(ON)和柵極。用于各種各樣的應(yīng)用中的電荷。KIA35P10A滿足RoHS和綠色產(chǎn)品要求,100% EAS保證全功能可靠性批準(zhǔn)。


KIA35P10A 產(chǎn)品特征

RDS(on) =42mΩ(typ)@VGS=10V

100% EAS保證

可用綠色設(shè)備

超低柵電荷

優(yōu)良的CDV/DT效應(yīng)下降

先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù)


KIA35P10A參數(shù)范圍

產(chǎn)品型號(hào):KIA35P10A

工作方式:-35A /-100V

漏源電壓:-100V

柵源電壓:±20V

漏電流連續(xù):-35A

脈沖漏極電流:-100A

雪崩電流:28A

雪崩能量:345mJ

耗散功率:104W

熱電阻:62℃/V

漏源擊穿電壓:-100V

柵極閾值電壓:-1.2V

輸入電容:4920PF

輸出電容:223PF

上升時(shí)間:32.2ns


KIA35P10A封裝

KIA35P10A,CMD5950


KIA35P10A規(guī)格書(shū)

查看詳情,請(qǐng)點(diǎn)擊下圖。

KIA35P10A,CMD5950


CMD5950參數(shù)概述

CMD5950采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì),提供優(yōu)良的低門(mén)電荷RDS(on),它可用于多種用途。


CMD5950特征

P溝道

低電阻

快速切換100%

雪崩測(cè)試


CMD5950參數(shù)

漏源電壓:-100 V

柵源電壓:20V

連續(xù)漏電流:-35a

脈沖漏極電流:-105a

雪崩電流:- 35 A

總功耗:50w

儲(chǔ)存溫度范圍:- 55至150

工作結(jié)溫度范圍:150℃


聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話:0755-83888366-8022

手機(jī):18123972950

QQ:2880195519

聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車(chē)公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1


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