場效應(yīng)管irf3205供應(yīng)商 技術(shù)參數(shù)信息-場效應(yīng)管irf3205中文資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2018-12-18
IR的HEXFET功率場效應(yīng)管irf3205采用先進(jìn)的工藝技術(shù)制造，具有極低的導(dǎo)通阻抗。
場效應(yīng)管irf3205這種特性，加上快速的轉(zhuǎn)換速率，和以堅固耐用著稱的HEXFET設(shè)計，使得場效應(yīng)管irf3205成為極其高效可靠、應(yīng)用范圍超廣的器件。
TO-220封裝的IRF3205普遍適用于功耗在50W左右的工商業(yè)應(yīng)用，低熱阻和低成本的TO-220封裝，使IRF3205得到業(yè)內(nèi)的普遍認(rèn)可。D2Pak封裝的IRF3205適用于貼片安裝，比起現(xiàn)有的任何其他貼片封裝，可說是功率最高，導(dǎo)通阻抗最低。TO-262是IRF3205的通孔安裝版，適合較低端的應(yīng)用。
先進(jìn)的工藝技術(shù)
貼片安裝
低端通孔安裝
超低導(dǎo)通阻抗
動態(tài)dv/dt率
175℃工作溫度
快速轉(zhuǎn)換速率
無鉛環(huán)保
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