低開啟電壓MOS管型號-低壓內(nèi)阻MOS管供應(yīng)商及參數(shù)等參考資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2018-09-05
對于一個電子產(chǎn)品，總功耗為該產(chǎn)品正常工作時(shí)的電壓與電流的乘積，這就是低功耗設(shè)計(jì)的需要注意事項(xiàng)之一。
為了降低產(chǎn)品的功耗，在電子產(chǎn)品開發(fā)時(shí)盡量采用低開啟電壓MOS管的產(chǎn)品。比如一個產(chǎn)品，曾經(jīng)用5v單片機(jī)正常工作，后來又了3.3v的單片機(jī)或者工作電壓更低的，那么就是在第一層次中進(jìn)行了低功耗設(shè)計(jì)，這也就是我們常說的研發(fā)前期低功耗器件選擇。這一般需要有廣闊的芯片涉獵范圍或者與供應(yīng)商有良好的溝通。
其次是模塊工作的選擇控制，一般選擇具有休眠功能的芯片。比如在設(shè)計(jì)一個系統(tǒng)中，如果某些外部模塊在工作中是不經(jīng)常使用的，我們可以使其進(jìn)入休眠模式或者在硬件電路設(shè)計(jì)中采用數(shù)字開關(guān)來控制器工作與否，當(dāng)需要使用模塊時(shí)將其喚醒，這樣我們可以在整個系統(tǒng)進(jìn)入低功耗模式時(shí)，關(guān)閉一些不必要的器件，以起到省電的作用，延長了待機(jī)時(shí)間。一般常用方法：①具有休眠模式的功能芯片②MOS管做電子開關(guān)③具有使能端的LDO芯片。
再次，選擇具有省電模式的主控芯片?，F(xiàn)在的主控芯片一般都具有省電模式，通過以往的經(jīng)驗(yàn)可以知道，當(dāng)主控芯片在省電模式條件下，其工作電流往往是正常工作電流的幾分之一，這樣可以大大增強(qiáng)消費(fèi)類產(chǎn)品電池的使用時(shí)間。同時(shí)，現(xiàn)在一些控制芯片具有雙時(shí)鐘的模式，通過軟件的配置使芯片在不同的使用場合使用不同的外部始終從而降低其功耗。這與始終分頻器具有異曲同工之妙，不同之處想必就是BOM的價(jià)格問題?，F(xiàn)在火爆的APPLE WATCH就是低功耗的一個例子：全功能運(yùn)行3-4小時(shí)，持續(xù)運(yùn)行18小時(shí)。
主控芯片或者相關(guān)模塊喚醒的方式選擇。通常進(jìn)過以上的步驟設(shè)計(jì)好了硬件結(jié)構(gòu)，在系統(tǒng)需要省電，在什么時(shí)候進(jìn)入省電模式，這一般在軟件設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)，但是最主要還是需要根據(jù)產(chǎn)品的功能特性來決定了。當(dāng)系統(tǒng)進(jìn)入了省電模式，而系統(tǒng)的喚醒也需要控制。一般系統(tǒng)的喚醒分為自動喚醒和外部喚醒。
A、自動喚醒是使用芯片內(nèi)部的定時(shí)器來計(jì)時(shí)睡眠時(shí)間，當(dāng)睡眠時(shí)間達(dá)到預(yù)定時(shí)間時(shí)，自動進(jìn)行喚醒。這與我們使用的看門狗或者中斷有比較相近之處，不同就是其工作與否的時(shí)序。
B、 外部喚醒就是芯片一直處于一種休眠狀態(tài)，當(dāng)有一個外部事件(主要是通過接口)來對芯片進(jìn)行一個觸發(fā)，則芯片會喚醒，在事件處理之后消除該觸發(fā)事件而在此進(jìn)入休眠狀態(tài)。因此，根據(jù)系統(tǒng)的特性，就需要進(jìn)行軟件設(shè)計(jì)時(shí)，來決定如何使用睡眠及喚醒，以降低系統(tǒng)的功耗。
MOS管導(dǎo)通電阻小，可以降低導(dǎo)通時(shí)的功耗。但無論什么元件器件，追求某項(xiàng)指標(biāo)必會影響其它指標(biāo)。以MOS管來說，高耐壓與低電阻是矛盾的，不可兼得，所以不能說導(dǎo)通電阻越小越好，因?yàn)檫@是犧牲其它性能獲得的。但是一般mos管額定電流越大,額定導(dǎo)通電阻也就越小。
1、創(chuàng)新高壓技術(shù)
2、低柵極電荷
3、定期額定雪崩
4、較強(qiáng)dv/dt能力
5、高電流峰值
深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司.是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計(jì)，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。
現(xiàn)已經(jīng)擁有了獨(dú)立的研發(fā)中心，研發(fā)人員以來自韓國(臺灣)超一流團(tuán)隊(duì)，可以快速根據(jù)客戶應(yīng)用領(lǐng)域的個性來設(shè)計(jì)方案，同時(shí)引進(jìn)多臺國外先進(jìn)設(shè)備，業(yè)務(wù)含括功率器件的直流參數(shù)檢測、雪崩能量檢測、可靠性實(shí)驗(yàn)、系統(tǒng)分析、失效分析等領(lǐng)域。強(qiáng)大的研發(fā)平臺，使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面擁有知識產(chǎn)權(quán)35項(xiàng)，并掌握多項(xiàng)場效應(yīng)管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競爭力。
強(qiáng)大的研發(fā)平臺，使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面擁有知識產(chǎn)權(quán)35項(xiàng)，并掌握多項(xiàng)場效應(yīng)管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競爭力。
KIA半導(dǎo)體的產(chǎn)品涵蓋工業(yè)、新能源、交通運(yùn)輸、綠色照明四大領(lǐng)域，不僅包括光伏逆變及無人機(jī)、充電樁、這類新興能源，也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產(chǎn)品的精細(xì)化與革新，力求為客戶提供最具行業(yè)領(lǐng)先、品質(zhì)上乘的科技產(chǎn)品。
從設(shè)計(jì)研發(fā)到制造再到倉儲物流，KIA半導(dǎo)體真正實(shí)現(xiàn)了一體化的服務(wù)鏈，真正做到了服務(wù)細(xì)節(jié)全到位的品牌內(nèi)涵，我們致力于成為場效應(yīng)管（MOSFET）功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)跑者，為了這個目標(biāo)，KIA半導(dǎo)體正在持續(xù)創(chuàng)新，永不止步！
Part Numbe
ID（A）
VDSS（v）
RDS（Ω）（MAX）
RDS（Ω）（TYP）
ciss
pF
KIA5610
5.4
100
0.31
0.28
508
KIA840S
8
500
0.9
0.7
960
KIA4820A
9
200
0.4
0.26
670
KIA10N60H
9.5
600
0.73
0.6
1570
KIA6035
11
350
0.48
0.38
844
KIA12N60H
12
600
0.65
0.53
1850
KIA13N50H
13
500
0.48
0.4
1600
KIA6410A
15
100
0.09
0.072
1480
KIA16N50H
16
500
0.38
0.32
2200
KIA7610A
25
100
0.038
0.032
2020
注：這里只列出了部分低開啟電壓mos管型號，需要了解更多型號及詳細(xì)資料，請聯(lián)系我們！
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